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三星宣布量產第五代V-NAND,96層堆疊、傳輸速率高達1.4Gbps
新頭殼newtalk | 綜合報導
科技電競
三星宣布推出第5代NAND快閃記憶體。
三星宣布推出第5代NAND快閃記憶體。   圖:翻攝三星官網

三星宣布已經開始量產第5代V-NAND快閃記憶體,第五代V-NAND採用目前最高96層堆疊設計,並且為業界首發支援Toggle DDR 4.0 傳輸介面的V-NAND快閃記憶體,傳送速率達到1.4Gbps,相較主流64層NAND速率增加了40%,並可實現更低的功耗及大幅減少寫入延遲。

目前NAND各家廠商均採3D方式堆疊,提升單位面積的儲存容量。目前市場主流NAND堆疊層數為64層,主要應用在SSD固態硬碟上。三星宣布將生產第5代V-NAND快閃記憶體,堆疊層數達到96層,三星強調新V-NAND可以減少晶圓物理尺寸限制,並擁有更高功率及性能。首次使用了Toggle DDR 4.0接口,能夠提供高達1.4Gbps的數據傳輸速度,比上代提升了40%。

同時,新V-NAND還對性能、功耗也進一步優化。工作電壓從1.8V 降至1.2V,數據寫入速度也是迄今最快500us,比上一代提升了 30%。讀取速率的回應時間也縮短到50us。減低的工作電壓有助於筆電電池壽命延長,並提高能源使用效率。

三星第5代V-NAND內部堆疊96層CTF-Cell層,為市面所見最高者。這些儲存單元透過幾百奈米寬的微管道孔洞連接,總計包含超過850億個CTF單元,每個單元可以儲存3位元資料。此外,第5代V-NAND快閃記憶體在原子層沉積製程技術也有改進,製造生產效率提升了30%,讓每層高度降低20%,有效降低了單位間干擾。三星也準備推出核心容量1Tb的NAND快閃記憶體,及QLC紀錄模式版本。

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